VitoGaN

VitoGaN offers improved efficiency over silicon, through lower gate charge, lower crossover loss, and smaller reverse recovery charge.

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VitoGaN

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  • RDS(ON) Max 3.3V（mΩ）
  • RDS(ON) Max 2.5V（mΩ）
  • RDS(ON) Max 1.8V（mΩ）
  • Qg Typ（nC）
  • Qgd Typ（nC）
  • Rth(JC) °C/W
  • Power Dissipation TA=25℃(W)
  • Power Dissipation TC=25℃(W)
  • MSL
  • HG-FREE
  • Part
  • Status
  • Type
  • Esd
  • Package
  • BVDSS[V]
  • VGS Max[±V]
  • VTH Typ[V]
  • RDS(ON) Max 10V（mΩ）
  • RDS(ON) Max 4.5V（mΩ）
  • ID(A)@25℃
Part
Status
Type
Esd
Package
BVDSS[V]
1200 -200
VGS Max[±V]
100 -100
VTH Typ[V]
10 -10
RDS(ON) Max 10V（mΩ）
10000 0
RDS(ON) Max 4.5V（mΩ）
10000 0
ID(A)@25℃
300 -300